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LCoS(硅基液晶)芯片设计与应用前瞻

3芯片功耗分析
来源:投影时代 更新日期:2008-05-08 作者:佚名
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3 芯片功耗分析

功率损耗是制允集成电路的一个重要因素,而CMOS电路的主要特点就是低功耗。由于LCoS芯片上的像素尺寸非常小(7~20μm),制作相应微滤色片(microfilter)的工艺复杂,且成本高。通常采用无微滤色片工艺,在单片LCoS芯片上使用时间混色模式(时序彩色化)实现彩色显示。表面上看时序彩色模式的LCoS芯片,要求其帧频为普通VGA显示的3倍以上来刷新屏幕,似乎功耗会增加许多倍 ,但实际并非如此。在图2所的实际电路结构中,我们设计了行锁存器。这样,就可以采用逐行写入方式,把每场的图像信号输入到像素显示矩阵中。纵向数据驱动器中视频串-行转换移位寄存器的工作频率约为25MHz,其它大部分电路的时钟频率不超过300kHz。LCoS芯片的功耗包括以下三部分:

(1)静态功耗Ps。由反向漏电流造成的直流功耗,CMOS电路一般可以忽略不计。

(2)动态功耗PD。主要指逐行写入图像信号时,每行像素(电容)充放电产生的交流功耗。

(3)场反转功耗PF。上盖板电极作周期性电场反转需要的功耗。

综合以上三项功耗,总的功耗为

P=Ps+PD+PF≈PD+PF    (1)

可采用数字电路瞬态功耗估算公式得到:

P=CL fc VDD2     (2)

这里,每个象素的电容量CP约为0.2pF,

每行象素的电容量为:

Crow=640×CP=128pF     (3)

每屏象素的电容量为:

Cpanel=480×Crow=61.44nF     (4)

另外,已知逐行写放频率接近300kHz,场反转频率150Hz,VDD=5V,把这些值连同(2)、(3)、(4)式代入(1)式,得到LCoS芯片的功耗估计值:

P=Crow f行 VDD2+Cpanel f场 VDD 2≈1.2nW

可见,LCoS显示器的确属于低功耗器件。

我们利用0.6μm CMOS工艺设计制作的LCoS芯片,象素截跟为12μm;象素驱动矩阵的占有面积为(640×12)μm(480×12)μm=7.68mm×5.68mm×5.76mm。考虑到需要预留液晶盒的胶线封装区,最后整个LCoS显示芯片的尺寸为:11.0mm×9.4mm,对角线约为15mm。

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