LCoS(硅基液晶)芯片设计与应用前瞻

LCoS显示屏通常分为两大类：透射型和反射型。虽然它们几何光学原理上截然迥异，但都能有选择地调制外光源光线而形成图像。透射型首先在晶片上完成驱动控制电路的设计制作，再用剥离（lift-off）技术[3]或各向异性刻蚀（anisotropic etching）技术[4]分离出管芯，粘附到透明衬底上制成微显芯片。如此巧妙设计一方面是利用单晶硅的优质电学性能，另一方面则是利用成熟的IC设计制造技术。反射型则是直接在晶片上制作驱动电路和显示矩阵电路，然后以此为基底封装液晶材料形成类似传统LCD（Liquid Crystal Display）结构的平板显示屏。所以常规IP技术可直接用于设计制作硅基液晶显示屏。

图2是笔者运用Cadence EDA工具，采用0.6μm的n-阱四层金属CMOS工艺规则设计的反射式LCoS（VGA分辨率，时序彩色化）电路结构图。其电路可划分为行扫描驱动器，列数据输入驱动器（包含DAC电路）和显示驱动矩阵（有源NMOS矩阵）[5]。

在列数据输入驱动器中，串行输入的多位数字视频信号通过移位寄存器的作用，依次存入数字锁存器，然后在同一读出信号作用下，配合行扫描信号，同时输入到各列的数/模转换器（DAC），之后输出模拟电压信号作用到像素，因此一帧图像将被一次一行地传送到所有列。

在行扫描驱动器中，行扫描信号通过另一组移位寄存器作用，产生与数字视频信号同步的逐行扫描信号。

有源显示驱动矩阵的每一个像给包括像素开关（NMOS晶体管）、存储电容和在它们上面的铝反射电极。NMOS晶体管控制列数据线对液晶像素的充电，而存储电容中的充电电荷建立了相对于控制电极的电压差。由于液晶材料本身也有电容，并沿分子的取向充电，当一定量的电荷积聚在像素上时，液晶将按所施加的电场取向。液晶分子的再取向，导致液晶电容的变化，这就改变了加在像素的电压。为了解决这个问题，需要用较大的存储电容。

像素的截面如图3所示，采用了四层金属，分别用于扫描线、数据线、避光层和铝反射镜面电极。扫描线控制NMOS晶体管（像素开关）的栅极，当NMOS导通时数据线上的信号驱动到像素上。晶体管漏极，存储电容和反射镜面电极是电导通的。硅背板顶部制作1μm厚的液晶衬垫，用以确定液晶盒间隙。

整个硅背板都是在常规IC芯片生产线上完成的。在加工好的LCoS显示芯片上，覆盖取向层，涂上密封胶，粘合附着ITO电极的玻璃盖板，最后向这个液晶盒灌注液晶材料就形成了LCoS显示器。尽管LCoS显示芯片的面积比较大，但绝大部分是像素阵列，晶体管密度较低，故可得到高的成品率。采用现代IC制造技术生产LCoS显示器可谓驾轻就熟，也是制造高分辨率LCD显示器的一条降低成本途径。