壹倍产品 | Micro LED 晶圆级PL巨量检测设备

    产品介绍

    MicroLED晶圆级PL巨量检测设备

    该设备应用于 Micro LED 芯片的晶圆级巨量检测过程中，对Micro LED晶圆进行检测，对芯片发光性能进行监控，提高良率，对分BIN工艺提供分选依据。随着 LED 晶粒尺寸的缩小，每片晶圆上的晶粒数量会达到数百万或千万颗以上，需对每颗 LED 晶粒进行光学性能检测。我们采用显微光致发光成像、共聚焦微分干涉成像及高分辨暗场成像，实现透明样品的无接触、非破坏性和超快速的缺陷/亚表面缺陷检出，从而大幅提高生产效率和良率，降低生产成本，加速产业发展。

    1.采用高效高精度的巨量目标光谱采集技术。通过高空间分辨的光强光谱采集方法，实现对巨量目标的同步检测，同时采集光强和光谱信号，提高检测效率。

    2. 采用Micro-LED光致发光区域均匀激发技术。采用特殊的光学照明系统避免激发光差异性带来的发光异常，实现均匀光源激发下光致发光强度一致性检测。

    3. 采用缺陷Micro-LED光致发光特性大数据模型。分析其发光光强光谱类型，建立异常芯片数据库，研究基于光谱参数层面的Micro-LED缺陷与异常诊断方法，确定空间、光强、光谱参数，实现高效精准的异常判断，满足Micro LED产业发展的检测需求。

    应用领域

    COW/COC1/COC2 的MicroLED Wafe的缺陷检测；4", 6" EPI的缺陷检测

    产品优势

    超高速无损检测

    优异的再现性和稳定性

    亚微米级分辨率

    典型的检测结果

    相同位置MicroLED芯片PL vs AOI

    PL发现中间芯片发光异常                      AOI观察图像均正常       

    发光亮度分布

通过PL亮度可以卡控发光异常的芯片

    （如上wafer存在较多暗点聚集区域）

    发光波长分布

    通过PL波长检测可以为区域分BIN提供支撑数据

    （如上wafer以2.5nm波长可划分为3块主要区域）