兆驰半导体公开Micro LED芯片巨量转移发明专利

    11月7日，兆驰半导体 宣布，公司一项Micro LED芯片巨量转移发明专利已进入授权阶段 ，新专利将进一步巩固公司在新兴应用市场的技术优势，增强公司的核心竞争力。

图片来源：兆驰半导体

    发明专利信息显示，兆驰半导体公开了一种Micro LED芯片的巨量转移方法，该发明专利申请 号为CN2023107484692，专利类型为发明授权，授权公告日为2023年10月20日。

    该巨量转移技术的具体方法与流程如下：

    通过将不同颜色的晶圆分别键合至透明过渡基板之上，去除晶圆衬底，激光光斑透过与不同颜色晶圆对应的掩模版，并透过过渡基板，对涂覆于晶圆中显示单元上的过渡键合层进行照射，实现对过渡键合层的烧灼，则能够将单色晶圆上的若干显示单元同时转移至目标基板上，这些单色的显示单元在目标基板上预留有其它颜色显示单元的芯片位;

    通过依次将蓝光显示单元、绿光显示单元与红光显示单元批量转移至目标基板上，能够实现RGB三原色芯片在目标基板上有规律性的间隔重复排列，从而解决本发明所记载的技术问题。

图片来源：兆驰半导体

    今年以来，兆驰半导体已公布了多个Micro LED 相关专利的新动态。2月，兆驰半导体有四项Micro LED相关专利申请公布或授权，分别是“一种MicroLED器件及其制备方法”、“一种micro-LED芯片的巨量转移方法”、“一种倒装Micro-LED芯片及制备方法”、”一种全彩Micro-LED芯片及其制备方法”。

    5月，兆驰半导体公布了“一种用于Micro LED的外延片 及其制备方法”的发明专利。6月，兆驰半导体获得两项Micro LED专利，分别是“一种Micro LED芯片及其制备方法”和“一种用于Micro LED芯片及其制备方法”。

    资料显示，兆驰半导体成立于2017年，是兆驰股份全资子公司，是从事LED外延片和芯片的研发、设计、制造与销售为一体的高科技企业，主要生产蓝绿光(GaN)与红黄光(GaAs)LED外延芯片等。目前兆驰半导体正往Mini/Micro LED等微缩化芯片方向发展业务。

    上半年，兆驰半导体实现营收8.72亿元，净利润1.07亿元。报告期内，兆驰半导体的LED氮化镓 芯片扩产项目已于6月底实现月产量100万(4吋片)。

    另外，兆驰半导体在业内首推了03*07mil(88*175um)，03*06mil(70*160um) MiniRGB芯片并已大规模投入使用。同时，公司还持续开发了02*06mil(50*150um)，02*05mil(50*125um)等更多微缩化芯片。

    据悉，兆驰半导体已具备从LED衬底到芯片的完整布局，产能规模领先，成本优势明显。同时在工艺端，兆驰半导体通过提升外延生长 中的波长均匀性，优化芯片工艺精细度，来为Micro LED的投产做准备。