TCL华星再攻关键材料自产高地，自研铜酸聚焦价值重构

    近期，TCL华星自研铜酸项目获得突破性进展，解决了高铜离子浓度下安全性问题及蚀刻速率下降的关键技术瓶颈，实现了铜酸极致寿命8000ppm，远超业界高双氧水一剂型体系7000ppm的上限。这一成果不仅有望进一步降低生产成本，增强自身竞争力，更展现出TCL华星在半导体显示领域，针对核心基础技术及材料的自研技术实力。

    近年来，随着“百年未有之大变局”的出现，稳定产业链安全，成为中国制造业重中之重的任务，而核心材料的自主自研，是稳定产业链安全，增强企业、乃至行业竞争力的关键一环。作为半导体行业的领军企业，TCL华星面临日益严峻的行业现状，开始积极转变经营思路，推进采购管理模式升级优化，组织深度分析和分品类的结构降本，提出并落实了多个关键材料山头项目，“铜酸自混自研项目”便是其中之一。

    正是基于对行业环境的洞察及企业自身所需，TCL华星针对刻蚀电路用的铜酸，这一成本较高的核心材料，TCL华星开始了漫长的铜酸自研之路。

    自2016年，TCL华星便围绕“配方体系建立，配方精细化调整，生产工艺开发，检测技术开发”四个关键节点，进行了该基础材料领域的能力构建，相继攻克了一系列蚀刻特性技术难题，2016年完成了开发平台、量产平台搭建，2019年实现了单点突破M1 H#1 t2单线量产，在近两年的刻苦钻研之后，2020年实现技术升级，自研H#2 实现深圳铜制程 M1 全线量产，也因此成为了业内首个成功自研铜酸的面板企业。

    阶段性的胜利并未让TCL华星的自研铜酸团队安于现状，而是再次踏上精益求精的技术攻坚之路。通过对螯合剂和稳定剂的深入研究，TCL华星的自研铜酸团队相继突破了高铜离子浓度下的安全性问题、蚀刻速率下降等关键技术瓶颈，延寿路线取得巨大突破进展：自研H#6配方突破高双氧水体系8000ppm寿命上限。这是TCL华星的材料自研能力又站上了新的台阶，不仅标志着TCL华星在铜酸领域技术实力的夯实与精进，更为企业降本增效提供更大助力。

铜酸蚀刻示意图

    从无到有，从有到优，再到突破行业上限的领先成绩，这得益于TCL华星对研发的高度重视和投入，以及多年来不断夯实的强大人才团队。TCL华星自研铜酸项目团队由经验丰富的专家带队，团队内不乏博士及硕士人才，雄厚的人才基础及坚定目标持续深耕细作，造就了这一支捷报频传的强大科研战队，该项目在为企业降本方面带来的效果也很显著，从2020年至今，TCL华星的铜酸上的成本已节约数亿人民币。

    从企业角度来看，TCL华星铜酸自研项目的成功有利于材料配方基础能力构建，最终能定制化开发，避免高阶产品受制于人。从长期发展的维度看，TCL华星通过创新模式实现上下游整合，调整经营结构，打造材料生态链，更能进一步实现结构性降本，有利于提升利润。最后，TCL华星通过此次项目实现自主配方知识产权，大大增强了公司的技术竞争力与产业链话语权。

    在经济深度全球化的今天，维护我国产业链、供应链安全刻不容缓，尤其是在疫情持续蔓延的背景下，必须在加强维护全球供应链稳定的基础上，重视产业链国产化，实现技术自强。面临供应链市场的不确定性，TCL华星将持续重视产业生态建设，保障国内产业链供应安全，全面构筑TCL华星在全球半导体显示领域的影响力，持续为行业、为社会经济发展做出更多贡献！