Porotech将向JBD供应多孔GaN半导体材料

    近日，主动矩阵式Micro LED显示器厂商JBD宣布与剑桥大学附属公司、GaN Micro LED材料开发商Porotech达成合作。

    Porotech拥有独家多孔GaN半导体材料，并在此基础上，开发了天然红InGaN Micro LED外延片，有效改善了Micro LED亮度和效率等方面的性能，能够满足Micro LED产品的量产需求，也可根据个体用户需求定制化。本次合作，Porotech将向JBD供应多孔GaN半导体材料。

    Porotech认为，采用GaN材料的Micro LED被广泛认为是唯一能够满足AR/VR等可穿戴设备高亮度及高效率需求的技术。而JBD认可了Porotech这一技术突破的巨大潜力，将依托这项技术开发InGaN红色Micro LED显示器，瞄准AR/VR耳机、AR智能运动护目镜及头戴式显示器等应用。