国星光电Mini LED背光芯片闪亮登场

    Mini LED背光发展背景

    随着我国进入疫情防控常态化阶段，消费复苏态势逐步巩固。回顾2020年，“宅经济”无疑是消费领域最大的热点，而“宅经济”蓬勃发展，也同时助力8K、量子点、Mini LED等新型显示技术的全面增长，因此在三星、LG、苹果、TCL、京东方等头部企业的强力推动下，采用直下式Mini LED背光的超高清Mini电视成为行业热点。2023年，预期采用Mini LED背光的TV 背板市值将达到82亿美金，其中20%的成本比例在Mini LED芯片。

    直下式背光Mini LED具备高分辨率、寿命长、发光效率高、可靠性高等优点，同时，Mini LED配合local dimming分区调控，可以实现高对比度HDR；配合高色域量子点，可实现宽色域>110%NTSC。因此Mini LED技术备受瞩目，成为技术和市场发展的必然趋势。

    Mini背光和传统背光对比

    Mini LED背光芯片参数

    国星光电全资子公司国星半导体积极针对Mini LED背光应用领域进行了Mini LED外延和芯片技术的开发。在产品的可靠性、抗静电能力、焊接稳定性、光色一致性等方面进行重点技术攻关，业已形成1021、0620等两个系列的Mini LED背光芯片产品。同时，为了更好适应Mini COG封装的要求，国星半导体开发出高压0620新产品，为客户提供更多的选择方案。

    工艺产品品号尺寸（mil）应用电流

    Mini BLU倒装产品D1021F39*2110-60

    H0620F1(6V)6*205-20

    D0620F3（3V）6*2010-60

    Mini LED背光芯片特点

    1. 高一致性外延结构设计，芯片抗静电能力强

    为提升Mini LED背光芯片的波长集中性，国星半导体采用独特的外延层应力控制技术，降低内应力，保证量子阱生长过程中的一致性。在芯片方面通过特制化高可靠性的DBR倒装芯片方案，实现超高的抗静电能力。根据第三方实验室的测试结果，国星半导体Mini LED背光芯片的抗静电能力可以超过8000V，产品的抗静电性能达到行业前列。

    2.低OD广角出光芯片结构，实现超薄背光应用

    为满足Mini LED背光超清、超薄的要求，国星半导体Mini LED背光芯片创新性地采用了低OD大出光角芯片结构，使芯片的出光角度增加20-30°，从而使Mini背光模组在低OD的情况下也可以实现均匀的混光效果，从而降低整机厚度，达到超薄化的目的。

    3.免焊锡制程，改善封装稳定性

    由于Mini芯片尺寸偏小，因此无论是传统点锡膏还是刷锡膏方案，都无法精确控制锡膏用量，这很容易导致芯片焊接出现漂移、偏位、孔洞率大及失效等问题，这种问题在COG封装上表现尤为突出。国星半导体率先开发具有自主专利的免焊锡制程，解决锡膏用量不均所带来的芯片漂移等问题，提升客户封装工艺的稳定性。

    4.高精度分档方案，提升光色一致性

    为了提高Mini 背光模组的光色一致性，消除mura效应，国星半导体与战略合作伙伴联合开发了芯片级高精度混光方案，通过特殊的算法和排列方式，实现背光模组的均匀混光，消除因芯片的光色差异而引起的背光效果的差异性，提升Mini LED的背光显示效果。

    创新引领，打造高清显示

    国星半导体十分重视自主研发和知识产权对企业发展的推动作用，截止2021年2月，已申请Mini LED相关专利23项。下一步，国星半导体将持续秉承“3+2”产品战略思路，持续专注Mini 背光和Mini 显示芯片的开发，并积极拓展Micro LED芯片的研发及应用研究。同时，在国星光电坚持创新驱动发展战略的引领下，加大科研创新力度，发挥自主创新的核心优势，坚定不移地走好创新发展之路。