AET阿尔泰科研｜“范德华外延”国家重点研发计划专项成功立项

    日前，东莞阿尔泰显示技术有限公司 与北京大学、清华大学等院校共同开展的“新一代发光器件的应用研究”——《基于范德华外延—剥离转印的半导体器件制作新方法》通过科技部高技术研究发展中心立项评审，正式列入国家重点研发计划 “变革性技术关键科学问题”重点专项，成为全国三十项国家重点研发计划之一，且是一项属于显示材料领域的研发专项 。

    AET阿尔泰再向Mini/Micro LED材料科研出发，助力国家重点研发计划专项开展 ，推进Mini/Micro LED显示发光材料的量产化发展!

    《基于范德华外延—剥离转印的半导体器件制作新方法》由北京大学、清华大学、西安电子科技大学、东北师范大学、松山湖材料实验室和AET阿尔泰联合开展，汇集了骨干研究力量。团队依托1个国家重点实验室、1个国家研究中心、1个国家工程研究中心、2个“2011” 协同创新中心和1个教育部前沿科学中心，研究基础和研究条件雄厚。

    本项目围绕关键科学问题，研究大尺寸二维晶体过渡层上半导体薄膜的弱耦合生长机理，半导体外延层的剥离转印技术及器件制作方法。突破现有衬底对宽禁带和超宽禁带半导体器件性能的限制，实现不依赖外延关系的衬底选择，革新蓝绿光Micro-LED、大功率射频器件和日盲紫外探测器等半导体器件制作技术，为新一代电子信息系统的发展奠定科学基础。

    目前，项目单位已开展初期研究，利用范德华外延技术实现氮化物单晶薄膜和LED结构的制备。

    项目所取得的研究成果有助于实现颠覆性的技术创新和应用 ，建立我国在宽禁带/超宽禁带半导体范德华外延/新型光电/电子器件基础研究与应用探索领域的知识产权保护体系，确立我国在二维材料、宽禁带半导体等核心材料领域在国际上的技术优势，在一定程度上可填补上述领域的技术空白 。

    未来，AET阿尔泰将会尽心竭力助力Mini/Micro LED前沿科学的多项创新性研发合作项目开展，从前端材料的角度解决Mini/Micro LED的“卡脖子”问题，深度融合产学研技术创新体系，不断提高核心竞争力，共同推进Mini/Micro LED的普及应用、可持续发展与创新性突破。