技术创新领导未来：小间距LED 2018年行业10大猜想

    对于整个LED产业而言，小间距LED市场已经成为“最主要的产能消耗点”。但是，这种趋势在2018年有可能迎来一些变化。这就是MINI-LED技术的问世。

    业内厂商将采用MINI-LED技术的COB小间距LED产品称为“第三代小间距LED”产品。此前，小间距LED市场份额第一的利亚德已经表示，有意愿推出MINI-LED技术的产品。有媒体报道，三星可能在2018年1月份的ces展会展出MINI-LED产品。预计2018年，会有首批MiNI-LED技术的COB小间距LED产品问世。2018年底到2019年，小间距LED市场将有很大可能迎来“表贴产品”、“COB产品”和“MINI-LED”产品“三代同堂”的时刻。

    什么是MINI-LED技术呢？即采用50-200微米的LED晶体的LED技术。与Micro LED（1-10微米的LED晶体）比较，MINI-LED技术难度更低，容易实现量产，且可以大量开发液晶显示背光源市场，产品经济性更佳。

    2018年MINI-LED会首先在液晶背光源领域得到应用。MINI-LED在背光源产品上采用芯片级封装结构，支持更为超薄的液晶显示器设计，以及更多分区的HDR画质精确背光调整。通过在液晶背光源市场的应用，MINI-LED产品可以积累技术能力、产业规模，这将有利于其在小间距LED市场以比较成熟和低成本的面目出现。

    同时，与传统小间距LED产品采用的亚毫米（500微米上下）级别LED晶体比较，MINI-LED又具有节约衬底材料成本、改善画面像素颗粒化显示缺陷、提高低亮度灰度显示效果等优势。

    以衬底消耗量看，100微米尺寸的LED晶体，与500微米的比较，衬底消耗前者只是后者的4%。这有利于在有限的LED上游产能下，制造更多的终端LED显示产品，也有利于降低LED显示屏中上游材料成本占比。尤其是对于室内小间距LED显示屏而言，MINI-LED更是与其需要的更低的像素亮度、更高的像素密度、更好的低亮度灰度效果相吻合——传统亚毫米级别的LED晶体，发光亮度往往超过实际所需很多，这是传统小间距LED屏产品的“一大浪费”。

    整体上，从最终产品技术特性角度讲，MINI-LED几乎是为室内小间距LED应用“标配研发”的技术。但是，MINI-LED的真正落地，也有其要跨过的难关。

    首先，更小的晶体颗粒必须与芯片级的封装相结合，这就是COB技术，才能更好的发挥其性能优势。而COB技术的小间距led产品尚没有实现大规模的普及。其次，MINI-LED面临一项叫做“巨量转移”的工程技术难题。即一张6英寸的衬底，能够制作100微米的LED晶体达到165万颗，如何将这么多的晶体按照显示需求，转移到驱动电路板上，是一件困难的工作。实际上，业内提出mini-led的概念，而不是一步到位发展Micro LED，就是为了降低“巨量转移”的难度。

    但是，有技术难度不意味着mini-led不会到来：实际上，2016年索尼就已经推出了这类的产品，三星、苹果、友达、三安等国际巨头亦在此技术上有长期研发。2018年mini-led进入市场是行业的共识。唯一的问题是mini-led能够以怎样的成本控制力占据多大的市场份额而已。所以，2018年更可能是mini-led的“技术引导年”，而非“市场收获年”。