德国半导体制造商追求备用LED基板战略

    Azzurro（德国半导体制造商）使用公司的硅基氮化镓LED模板晶片，在波长变化的生产和实验室树立了里程碑，现在Air Water（日本安昙野市的爱沃特株式会社）正使用爱思强公司全新的有机金属化学气相沉积反应器制造碳化硅基氮化镓架构。

    从性能的角度来看，使用钐基氮化镓或碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）技术可以继续推进产业的前进，我们也有理由相信这样可以继续最大限度地减少LED的成本和更广泛的固态照明（SSL）。Azzurro正在寻求硅基氮化镓晶半导体圆模板，并宣布其生产方案已在研发实验室达到3纳米波长均匀度和1纳米的均匀度，与此同时，Air Water在硅晶片上加上碳化硅层，以此来减少缺陷，并使LED输出更多的光。

    硅的吸引力是可以保持晶片的低成本，以及后端LED制造工艺的自动化，并按集成电路（IC）工厂线使用。这也就是说，LED显示器可以减少组件元件成本以及SSL系统的材料清单。

    硅基氮化镓模板

    我们前面已经介绍过德国德累斯顿的发展策略：制造商可以通过使用自己的知识产权增长此模板的外延结构。想必Azzurro的制造商会处理LED硅处理方面的困难，包括晶片的处理和可变晶片的厚度问题。

    Azzurro在近日举行的国际会议上宣布了其最新的里程碑式的氮化物半导体2013（ICNS-10）。“我们很高兴，也很自豪能够做出1.0纳米的成就，”Azzurro的联合创始人Alexander Loesing这样说道：“有了这些结果，我们证明了我们的硅基氮化镓技术可以使LED行业接近1-bin LED晶片的目标。”

    该实验室开发的1纳米均匀性就可以产生1-bin的LED颜色，但Azzurro并没明确指出这一成就，因为它可能会被商业化。即使是3纳米的均匀性成果在生产环境中也会缺乏一定的可信度，直到这样的LED出现在市面上。Azzurro表明：此成就使用了150毫米（6英寸）晶片，也可以在1.3％以内均匀交付正向电压。

    碳化硅基氮化镓架构

    根据Aixtron的公告显示：总部设在日本安昙野市的工业气体生产商Air Water集团，正在使用一种新方法来将碳化硅层加入到硅晶片，这是一种包括有机金属化学气相沉积（MOCVD）反应器的LED设备，用来扩展化合物半导体外延层。爱思强公司说，它安装的AIX G5 HT行星式反应器可以在集成6*8的晶片。

    科瑞已经证明此架构可以很好的发挥LED的作用，能始终如一地散发完美的光效。碳化硅提供了更好的结晶性，这样就可以减少缺陷，提供更多光输出之间的匹配。但是，碳化硅晶片的成本显然高于蓝宝石晶片的成本，虽然科瑞在使用该技术有很明显的价格竞争力。

    想必Air Water的此架构也会尽快完成，与此同时，碳化硅层将提供一个如同氮化镓层的更好晶片，借以形成LED结构。

    当然，同质衬底和外延层之间一定存在着某种路径，比如Soraa正在追求的东西，但显然，氮化镓晶片比碳化硅晶片更昂贵。