技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司,推出两款采用新封装的1W和2W砷化镓 (GaAs) 射频驱动放大器,它们在CDMA、WCDMA和LTE基站或类似应用中能够提供一流的线性度、低功耗和先进的保护功能。这些高性能放大器有极宽工作带宽并且非常坚固,在操作范围50到1500 MHz之间提供高性能。
TQP7M9105和TQP7M9106 是不断发展壮大的TriQuint 第三代5V线性驱动器放大器产品系列的最新成员。除了在蜂窝收发基站 (BTS) 应用中的卓越性能以外,它们同样非常适用于远程无线电头端 (RRH) 和小蜂窝基站的射频设计。
新的TQP7M9105在1 dB增益压缩(P1dB) 提供1W(+30 dBm)的射频输出功率及19.4 dB的增益,输出三阶截取点(OIP3)为49 dBm, 达到同类产品的最高线性度,同时从其单一 的+5 V电源,耗电仅220 mA。TQP7M9106提供2W(+33 dBm)的P1dB射频输出功率, 增益为20.8 dB, 输出三阶截取点为50dBm, 大于竞争器件,从其 +5 V电源,耗电仅455 mA。这两款器件都集成了片上电路,这使它们能够达到工作模式为 A类但效率为 AB类的放大器的典型线性度。
另外这两种产品还具有出色的耐电强度,能够处理它们经常会遇到的“超出规范的”工作条件。例如,它们能够提供射频输入过载保护和直流过压保护。此外,它们的片上静电放电 (ESD) 保护使它们能够满足严格的 1C类 HBM规范要求,这使它们能够经受通常会在正常制造环境中遇到的大部分杂散电压。这两种产品采用符合RoHS标准的无铅SOT-89 (TQP7M9105) 封装和4x4mm QFN (TQP7M9106) 表面贴装封装。
技术细节:
TQP7M9105
50 - 1500 MHz射频驱动器放大器,1W (+30 dBm) P1dB 射频输出功率,+49 dBm OIP3,19dB 增益,片上射频输入过载、直流过压和静电放电保护。一个 +5V 电源,220mA电流消耗;采用3引脚SOT-89封装。
TQP7M9106
50 - 1500 MHz射频驱动器放大器,2W (+33dBm) P1dB 射频输出功率,+50dBm OIP3,20dB 增益,片上射频输入过载、直流过压和静电放电保护。一个 +5V 电源,455mA电流消耗;采用24引脚4x4mm QFN封装。
新TQP7M9105和TQP7M9106驱动器放大器现已投产并供应完整组装的评估夹具。