三星闪存项目或落户西安明年末启动

    三星电子一项一期投资多达70亿美元的NAND型闪存工厂，将落户西安。

    NAND闪存是主要用于智能手机、平板电脑等移动终端的存储介质。据韩联社报道，三星电子称已就新一代闪存芯片生产与西安签署谅解备忘录，预计生产线将在明年年末正式启动，预计每月芯片产能将达到10万片。

    这一新工厂将使用10纳米级别的工艺。10纳米级技术是三星计划在今年投入使用的最新技术，业界人士称，如采用10纳米级制造工艺，使用同等材料生产闪存芯片，产量比起20纳米级技术增加约一倍以上。

    对于三星来说，来华投资建厂是一次风险不小的尝试。三星曾十分担心在海外建设高科技生产线存在技术外泄的风险，过去一直没有在韩国和美国以外地区建立高科技生产厂。在此之前，三星仅在美国得克萨斯州奥斯丁市设立过一家芯片生产厂。

    相比之下，三星的竞争对手海力士早在2004年就投资20亿美元落户无锡，该厂12英寸芯片产能已从初期月产1.8万片提高到18万片。

    iSuppli半导体首席分析师顾文军认为，在这个“快鱼吃慢鱼”的“比快”竞争时代，在中国建厂成了贴近市场、快速反应，充分利用中国资源和市场的重要方式。

    “三星之所以改变策略，很大程度上在于中国已经是智能手机、平板电脑等移动终端最大的生产基地和消费市场，而加快在中国布局半导体制造，意在更加贴近中国市场并与苹果展开全方位的竞争。而且，目前中国的芯片企业整体竞争实力太弱，已基本放弃芯片产业，没必要担心技术外泄。”顾文军对记者说。

    三星电子方面也称，在华建厂的原因主要在于“对当地消费者的需求可以做到快速反应、高效应对”。

    根据市研机构Gartner的数据，中国市场去年所消费的NAND内存芯片，占全球市场一半，规模达290亿美元，是全球最大的芯片消费国。到2015年，中国市场份额将升至55%。