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传三菱化学10月量产LED用GaN衬底

来源:半导体制造 更新日期:2012-02-25 作者:佚名

    据日经新闻23日报导,三菱化学(MitsubishiChemical)计划于今(2012)年10月开始量产使用于LED的氮化镓(GaN)衬底,因其电光转换率高(将电力转换成光的效率),故搭载该GaN衬底的LED照明的耗电力可较现行产品删减50-70%。报导指出,三菱化学已投下约5亿日圆在水岛事业所内兴建基板加工产线,并预计于今年4月完工,之后将于7月进行衬底样品出货,并将于10月正式量产直径为2寸的GaN衬底,月产量为500片(可供应10万个LED灯泡使用)。

    据报导,三菱化学计划于2013年将GaN衬底月产能大幅倍增至6,000片(以直径2寸的产品换算;以下同),之后并计划于2015年进一步扩增至30,000片的规模,以藉此一口气掌握业界标准,预估三菱化学对GaN衬底的总投资额将达数百亿日圆。报导指出,和现行主流的蓝宝石衬底相比,GaN衬底虽具有电力损失低等优点,惟最大难题在于生产成本过高,但因三菱化学已确立了高效率的生产技术,故从中长期来看,三菱化学分析其成本面应可抗衡蓝宝石衬底。

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