2012夏普IGZO技术获经济产业大臣奖

夏普IGZO技术 创造崭新未来   

氧化物半导体『IGZO』」荣获日本CEATEC AWARD 2012经济产业大臣奖

    以智能创新为主题的“2012年日本电子高新技术博览会”简称CEATEC，于10月2日、在日本千叶县、幕张国际会展中心隆重举行。夏普公司名为“氧化物半导体—IGZO带给我们的未来”的展出，被授予“CEATEC AWARD 2012”经济产业大臣奖。（Indium Gallium Zinc Oxide为氧化铟镓锌的缩写，简称IGZO）

    “CEATEC AWARD 2012”旨在促进IT与电子产业的发展，拓展新的市场需求，同时以“智能创新——创造丰富的生活和社会”为主题，从参展品中评选出最优秀的技术和产品，授予其总务大臣奖和经济产业大臣奖。

夏普水屿副社长从经济产业省商务情报政策局评委主席今林先生手中接过奖杯

    夏普“IGZO”技术，实现了薄膜晶体管向高性能及小型化应用方面又迈进了一大步。预计该新技术会于不久的将来，在全球市场上得到广泛推广与应用，为需求量日益增大的智能手机等移动终端、高性能笔记本电脑以及液晶显示器等设备提供更加理想的技术支持。通过本次夏普“IGZO”技术的获奖不难看出，其在新产品的开发中所拥有的重要地位以及巨大的市场潜力。

    “IGZO”技术是夏普公司在世界上率先成功实现量产、完全依靠人类现有技术创造出的透明化合物半导体。它是一种由铟（In）、镓（Ga）、锌（Zn）、氧（O）四种元素构成、具有独特性质的人造物质。它将

    以往半导体无法达成的功能变为可能，并蕴含着让未来生活发生划时代巨变的潜能与资质，因此它的出现可被视作为一项具有革命性的技术创新。同时，其用途涉及多个行业及领域，有极高的科技价值与商业价值。

    夏普“IGZO”这项新技术可使相当于以往非晶体半导体20-50倍的电流流入，并由此使液晶技术得以更进一步的提高。搭载夏普“IGZO”技术的液晶显示屏，在高电子迁移率依托下（电子迁移率是表示在固体材料中电子运动速度快慢的量度），成功缔造出了超小型化、超细线化的新型薄膜晶体管。此外，该技术还能提高每一像素的透过量；在透过率同等的情况下，精细度可提高到原来的2倍左右。

    夏普“IGZO”技术最大的优势就是实现了显示器的低能耗。之前的显示器即便在显示静态画面时，也需要进行数据改写，而夏普“IGZO”技术即便在电流呈切断状态下，依旧能在一定时间内保持图像而不对数据进行修改，因此显示屏的能耗将减至原来的1/5-1/10。这对需要长时间使用但又苦于能耗过大的显示器来说，可谓是提供革命性的技术支持。

    除液晶显示屏外，在不久的将来，夏普“IGZO”技术还将衍生出更多具有格式功能的特色产品。例如将IGZO用于大面积传感器，使其配合人体动作显示出所需信息，并实现对其操控，或是用它制造具备视、听、味、嗅、触五种感官的传感器及制造光学计算机的核心等等。拥有巨大潜力的夏普“IGZO”技术，将会不断地创造出新的奇迹。

    当然，不仅是“IGZO”技术，长久以来夏普的创新技术一直伴随着我们发展至今，未来夏普还将引导人们的生活向更新、更舒适、更丰富迈进。

    IGZO技术详细情况，请参考夏普官方网站  http://www.sharp.co.jp/igzo/