索尼发布多晶氧化物TFT AMOLED面板

    显示器国际会议“18th International Display Workshops（IDW '11）”，于2011年12月7～9日在名古屋国际会场举行，同期举行的有机EL（OLED）和电子纸会议上，有很多产品的发布令笔者非常感兴趣。

    在“AMD1”与“OLED3”的合并会议“AMOLED”上，索尼发布了采用多晶氧化物TFT的有源矩阵驱动OLED（AMOLED）面板（论文序号AMD1/OLED3-1）。其沟道层采用多晶IGO膜取代了原来的非晶IGZO膜。迁移率高达22～24cm²/Vs，遇到DHF溶液也基本不会被蚀刻，因此适合反向通道蚀刻型TFT。

    SRU（short range uniformity）方面，16个TEG检测结果表明，Vth的平均值为0.23V，σ＝0.02V，偏差很小。LRU（long range uniformity）方面，在300mm×350mm的玻璃底板上，迁移率平均值为23.8cm²/Vs，σ＝0.86cm²/Vs，整个基板的偏差也很小。可靠性方面，在Vg＝Vd＝15V的PBTS（positive bias temperature stress）试验中，在10000秒内有0.25V左右的Vth漂移。

    索尼采用这种多晶IGO TFT试制出了有源矩阵驱动OLED面板。对角9.9英寸，像素为960×540（qHD），像素回路为2T（双晶体管）构造。估计跟该公司已投产的11英寸OLED电视“XEL-1”一样，通过2T-2C（2晶体管-2电容器）回路补偿了Vth和迁移率。从照片上看，均一性良好。

    由于IGO不能制造多结晶的靶材，所以必须在非晶状态下成膜后通过基于热退火的固相生长实现多晶化。长年从事多晶硅TFT业务的人员，可能会担心“多晶化会不会需要巨大的热量”，但由于“可以在非晶硅TFT的最高工艺温度以下进行短时间处理”，所以对产品的批量生产似乎没有什么影响。从均一性数据来看，结晶成长所产生的颗粒也基本没有影响，因此完全有可能成为反向通道蚀刻型氧化物TFT的真正候补。