LG电子开发出氧化物半导体TFT驱动的柔性有机EL

    韩国LG电子开发出了TFT材料为化物半导体IGZO（In-Ga-Zn-O）的柔性有机EL面板，并在“第七届International Meeting on Information Display（IMID 2007）”（论文编号：9-1）上做了公开发表。此次开发的技术是在100μm厚的不锈钢底板上形成IGZO TFT和有机EL。屏幕尺寸为3.5英寸，像素数为176×220的QCIF＋。LG电子在开发者见面会上展示了试制的面板。

驱动元件使用氧化物半导体TFT的柔性有机EL面板
 

曲率半径6cm，不锈钢底板100μm

　　LG电子表示，“氧化物半导体TFT的可靠性及迁移率比有机TFT、非结晶Si-TFT要高，均一性优于低温多结晶Si-TFT，因此是柔性有机EL驱动元件的真正候选”。

　　该公司06年4月开始开发由透明氧化物半导体IGZO TFT驱动的有机EL面板，在同年12月的“International Display Workshops（IDW）”上做了单色面板的论文发表和彩色面板的演示。之后在07年5月的“Society for Information Display（SID）”上发布了将彩色面板的影像显示性能从最初约5帧/秒提高到60帧/秒的试制面板。当时使用的是0.63mm的玻璃底板（美国康宁制造）。

　　使用不锈钢底板时，为确保底板表面的平坦性，首先形成的是有机物的平坦化膜。在之后进行的栅极绝缘膜形成等需要高温处理的工序中，为确保该平坦化膜不受裂纹等的影响重新开发了材料和工艺。另外，封装使用了韩国三星化学开发的塑料绝缘膜。

　　开发者见面会上公开的柔性有机EL面板曲率半径为6cm。论文发表过程中还使用录像介绍了：即使弯曲到曲率半径4cm，IGZOTFT的特性也不会改变，以及用手持弯曲面板，依然能够正常显示的实验。

　　有机EL材料使用的是低分子材料。另外由于不锈钢底板不透明，所以采用了从TFT相反一侧获取光的顶部发光结构（Top Emission）。TFT为顶栅结构，栅极绝缘膜使用SiOx，利用原有的光刻技术和湿法刻蚀技术制成。该不锈钢底板上的IGZO TFT迁移率为6.7cm2·V-1·s-1，ON/OFF比为3.5×105，亚阈值斜率（S值）为0.61V/dec。

　　此次的技术是由韩国国家研究机关——韩国电子通信研究院（ETRI：Electronics and Telecommunications Research Institute）支持的国家项目“利用透明电子原件的智能窗（Smart Windows）”的成果。