欧姆龙发布硅麦克风 公开了适合于小型化的构造

    在法国里昂举办的“Transducers’07”上，欧姆龙公布了计划投产的硅麦克风。在不断有新厂商涉足该领域、成本竞争日趋激烈的情况下，该公司同时实现了传感器的小型化和高性能。

　　麦克风的传感器部位的面积为1.2mm×1.3mm。此时的灵敏度方面，频率为1kHz时灵敏度为-41dBV。在100Hz～10kHz的频率下，能够实现平稳的响应性。在薄膜构成的电容器上带有静电，偏压为12V。

　　实现小型化的关键是蚀刻技术。一般来说，硅麦克风上传感器部位的硅薄膜背面需要一块让声音发生共鸣的空间，这就需要通过蚀刻来实现。这一方法原来主要分为2种。即湿蚀刻和干蚀刻。湿蚀刻方面，根据接触蚀刻液的时间来剥离硅。断面形状为硅薄膜一侧边长较短的梯形（请参考图片）。而干蚀刻方面，通过延垂直方向向硅底板照射等离子进行几乎垂直的剥离。在相同的芯片面积下，干蚀刻能够扩大硅薄膜背面的空间。

　　与此相对，此次将湿蚀刻法分2个阶段进行，与原有的干蚀刻法相比能够进一步扩大空间（请参考图片）。断面形状变成了菱形。首先通过湿蚀刻法剥离成梯形。其次，对制成硅薄膜时形成的牺牲层多晶硅进行蚀刻。最后，在露出的硅面上通过各向同性蚀刻法进行剥离。